中国科学院院士，是中华人民共和国设立的科学技术方面的最高学术称号，为终身荣誉。1955年，第一批中国科学院学部委员产生;1956年5月，学部委员进行了一次增聘。“文化大革命”结束后，1979年5月开始进行学部委员增补工作，之后又中断10年，至1990年再次进行了学部委员增选，确定了两年一度进行增选。1993年10月，中华人民共和国国务院第十一次常务会议决定，将中国科学院学部委员改称中国科学院院士。1994年6月，中国科学院首批外籍院士产生。1998年6月，实施资深院士制度。1998年6月，首次有外籍院士提出转为中科院院士。

吴德馨，女，半导体器件专家，河北乐亭人。1961年毕业于清华大学无线电电子学系。中国科学院微电子中心主任、研究员。作为主要负责人之一，在国内首先研制成功硅平面型NPN高速开关晶体管，所提出的提高开关速度的方案被广泛采用。在介质隔离数字集成电路和高阻抗运算放大器线性电路的研制中，解决了许多关键问题，研制成功N沟MOS4K位动态随机存贮器，在国内首先将正性胶光刻和干法刻蚀等用于大规模集成电路的研制，并进行了提高成品率研究，打破了中国大规模集成电路成品率低的局面;研制成功16K位和64K位动态随机存贮器，开发成功双层多晶硅和差值氧化工艺，独创了检测腐蚀接触孔质量的露点法;研制成功多种专用集成电路和VDMOS系列功率场效应器件。1991年当选为中国科学院院士。

1960年初，吴德馨作为主要负责人之一，在国内首先研究成功硅平面型高速开关晶体管，所提出的提高开关速度的方案被广泛采用，并向全国推广。六十年代末期研究成功介质隔离数字集成电路和高阻抗运算放大器模拟电路。70年代末研究成功MOS4K位动态随机存储器。在国内首先将正性胶光刻和干法刻蚀等技术用于大规模集成电路的研制，并进行了提高成品率的研究。首先在国内突破了LSI低下的局面。随后又相继研究成功16K位和64K位动态随机存储器。开发成功双层多晶硅和差值氧化工艺，独创了检测腐蚀接触孔质量的露点法。80年代末期自主开发成功3微米CMOSLSI全套工艺技术，用于专用电路的制造。研制成功多种专用集成电路，并研究开发成功VDMOS系列功率场效应器件和砷化镓异质结高电子迁移率晶体管。90年代研究成功0.8微米CMOSLSI工艺技术和0.1微米T型栅GaAsPHEMT器件。目前，正在从事砷化镓微波集成电路和光电模块的研究。

吴德馨院士从事半导体器件与集成电路的研究与开发，曾获国家和中科院一等奖3项。1992年被国家科委聘为“深亚微米结构器件和介观物理”项目首席科学家。

吴德馨曾任国家重大科技攻关课题负责人;攀登计划首席科学家;国家重大基础研究顾问专家组成员;中科院学部主席团成员;中国电子学会常务理事;半导体与集成技术分会主任;第九届、十届全国人大常委会委员和教科文卫委员会委员等职务。

吴德馨主要从事化合物半导体异质结晶体管和电路的研究，包括0.1微米砷化镓/铝镓砷异质结高迁移率场效应晶体管、砷化镓/铟镓磷HBT晶体管，氮化镓/铝镓氮异质结场效应功率晶体管和研制成功砷化镓/铟镓磷HBT光发射驱动电路。

对于集成电路系统级封装(SIP)的发展概况及其趋势做的介绍,对于从事此领域工作的有指导性意义。由于集成电路设计水平和工艺技术的提高，集成电路规模越来越大，已可以将整个系统集成为一个芯片(目前已可在一个芯片上集成108个晶体管)。这就使得将含有软硬件多种功能的电路组成的系统(或子系统)集成于单一芯片成为可能。90年代末期，集成电路已经进入系统级芯片(SOC)时代。20世纪80年代，专用集成电路用标准逻辑门作为基本单元，由加工线供给设计者无偿使用以缩短设计周期：90年代末进入系统级芯片时代，在一个芯片上包括了CPU、DSP、逻辑电路、模拟电路、射频电路、存储器和其它电路模块以及嵌入软件等，并相互连接构成完整的系统。由于系统设计日益复杂，设计业出现了专门从事开发各种具有上述功能的集成电路模块(称做知识产权的内核，即IP核)的工厂，并把这些模块通过授权方式提供给其他系统设计者有偿使用。设计者将以IP核作为基本单元进行设计。IP核的重复使用既缩短了系统设计周期，又提高了系统设计的成功率。研究表明，与IC组成的系统相比，由于SOC设计能够综合并全盘考虑整个系统的各种情况，可以在同样工艺技术条件下实现更高的系统指标。21世纪将是SOC技术真正快速发展的时期。

近年来，由于整机的便携式发展和系统小型化的趋势，要求芯片上集成更多不同类型的元器件，如Si-CMOSIC、GaAs-RFIC、各类无源元件、光机电器件、天线、连接器和传感器等。单一材料和标准工艺的SOC就受到了限制。近年来在SOC基础上快速发展的系统级封装(SiP)，即在一个封装内不仅可以组装多个芯片，还可以将包含上述不同类型的器件和电路芯片叠在—起，构建成更为复杂的、完整的系统。在国内率先提出了利用MEMS结构实现激光器和光纤的无源耦合。并研究成功工作速率达10Gbps的光发射模块。其中“先进的深亚微米工艺技术及新型器件”获2003年北京市科学技术一等奖。独立自主开发成功全套0.8微米CMOS工艺技术。获1998年中科院科技进步奖一等奖和1999年国家科技进步奖二等奖。作为国家攀登计划首席科学家负责深亚微米结构器件及介观物理项目研究。开展了12项课题的研究。为介观物理基础和新结构器件的进一步研究打下基础。作为工艺负责人研究成功N沟MOS4K、16K动态随机存储器和成品率的提高。独创了检验接触孔质量的露点检测法。并推广到上海器件五厂。分别获得1980和1981年中科院科技成果一等奖两次。负责平面型高速开关管的研究，独立解决了提高开关速度的关键问题，并推广至上海器件五厂和109厂，为两弹一星采用的109计算机提供器件基础。获国家新产品一等奖。2004年，获何梁何利技术科学奖。

70岁吴德馨打破美国芯片技术封锁，成功实现国产首台计算机在重庆量产。2020年6月9日10点，国产天玥TR117计算机量产成功，我们不会再被世界发达国家”卡脖子“。国产计算机释放出积极的信号，龙芯暂时不是全球最强芯，未来是一张巨大的”猛兽“，它一定会带领国产硬件和软件实现复兴。

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